| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | Pulse |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 133 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 683@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 5.77@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 219@50V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 33.5 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2941000 |
| Ausgabeleistung (W) | 1500(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 23 |
| Max. Frequenz (MHz) | 500 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 73 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.86(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.01(Max) |
| Verpackungslänge | 32.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | Case OM-1230G L |
| Stiftanzahl | 4 |
