ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | NRND |
SVHC | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Single |
Typ | MOSFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Betriebsweise | CW |
Prozesstechnologie | LDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 133 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 403@50V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.31@50V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 104@50V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 28 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 272000 |
Ausgabeleistung (W) | 330(Typ) |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 28.2 |
Max. Frequenz (MHz) | 250 |
Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 75.5 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tube |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 21.11(Max) |
Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
Verpackungslänge | 16.13(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-247 |
Stiftanzahl | 3 |