RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8541.29.00.75 |
SVHC | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Single |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Prozesstechnologie | LDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 5 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 2500 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 330@50V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.6@50V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 350@50V |
Ausgabeleistung (W) | 330(Typ) |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 18 |
Max. Frequenz (MHz) | 1400 |
Mindestfrequenz (MHz) | 1200 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 60.5 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Screw |
Verpackungshöhe | 4.32(Max) mm |
Verpackungsbreite | 9.91(Max) mm |
Verpackungslänge | 34.16(Max) mm |
Leiterplatte geändert | 3 |
Lieferantenverpackung | NI-780 |
Stiftanzahl | 3 |