RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8541.29.00.95 |
SVHC | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Dual Common Source |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Betriebsweise | CW|Pulsed RF |
Prozesstechnologie | LDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 133 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.7 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 562@50V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.8@50V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 185@50V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 28 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3333000 |
Ausgabeleistung (W) | 1309(Typ) |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 23 |
Max. Frequenz (MHz) | 600 |
Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 72.3 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 3.86(Max) |
Verpackungsbreite | 10.01(Max) |
Verpackungslänge | 32.33(Max) |
Leiterplatte geändert | 5 |
Lieferantenverpackung | Case OM-1230 L |
Stiftanzahl | 5 |