| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | 3B992 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 179 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 760@65V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.9@65V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 203@65V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 44.7 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2247000 |
| Ausgabeleistung (W) | 1800(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 27.8 |
| Max. Frequenz (MHz) | 400 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 75.6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.29(Max) |
| Verpackungslänge | 41.28(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | NI-1230H |
| Stiftanzahl | 5 |
