| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 179 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 765@65V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 5.6@65V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 216@65V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 44.7 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3333000 |
| Ausgabeleistung (W) | 1800(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 24.4 |
| Max. Frequenz (MHz) | 400 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 75.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.86(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.01(Max) |
| Verpackungslänge | 32.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | Case OM-1230 |
| Stiftanzahl | 5 |
