| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | Pulsed CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 179 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 299@65V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.1@65V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 84@65V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 33.6 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1333000 |
| Ausgabeleistung (W) | 600 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 26.4 |
| Max. Frequenz (MHz) | 400 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 74.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.32(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) |
| Verpackungslänge | 34.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | NI-780 |
| Stiftanzahl | 5 |
