| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1700 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 23 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 940@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 11@20V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 184@1360V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 68000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 12 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 7 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 21.46(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.31(Max) |
| Verpackungslänge | 16.26(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-247 |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 3 |
