| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.9 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 14@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 23@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 23 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2175@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 50 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 54 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.61(Max) |
| Verpackungsbreite | 2.1(Max) |
| Verpackungslänge | 2.1(Max) |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Lieferantenverpackung | DFN-MD EP |
| Stiftanzahl | 6 |
