RoHS EU | Compliant with Exemption |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Triple Source |
Prozesstechnologie | NextPowerS3 |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 280 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.1@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 127@10V|59@4.5V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 127 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8845@20V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 198000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 38 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 62 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 65 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 52 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.1(Max) |
Verpackungsbreite | 4.7(Max) |
Verpackungslänge | 5.3(Max) |
Leiterplatte geändert | 4 |
Tab | Tab |
Lieferantenverpackung | LFPAK |
Stiftanzahl | 5 |