ToshibaRN2106MFV,L3F(CTDigital-BJT
Silicon PNP Epitaxial PCT Process Bias Resistor built-in Transistor
| Compliant | |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 0.8 |
| Verpackungslänge | 1.2 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | VESM |
| 3 |
| EDA / CAD Models |