Infineon Technologies AGSMBT3904E6327HTSA1GP BJT

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Design various electronic circuits with this versatile NPN SMBT3904E6327HTSA1 GP BJT from Infineon Technologies. This bipolar junction transistor's maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

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