| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Single |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 90 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 13 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 20(Min) |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 12 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 73@28V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.6@28V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 24@28V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 170000 |
| Ausgabeleistung (W) | 80(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 17.3 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1500 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 70 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Loose |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.45(Max) |
| Verpackungsbreite | 6.1(Max) |
| Verpackungslänge | 20.57(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | Case M-243 |
| Stiftanzahl | 3 |
