| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 110 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 44 |
| Ausgabeleistung (W) | 500(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 16 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1200 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 700 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 59 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.32(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) |
| Verpackungslänge | 20.7(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | STAC780F |
| Stiftanzahl | 5 |
| Leitungsform | Flat |
