| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Typ | MOSFET |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Prozesstechnologie | DMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 250 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 580@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 10@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 180@50V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 3(Min) |
| Ausgabeleistung (W) | 450(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 24 |
| Max. Frequenz (MHz) | 250 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 60 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Box |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.86(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) |
| Verpackungslänge | 20.7(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | STAC780F |
| Stiftanzahl | 4 |
