| ECCN (USA) | 3A001.a.2.c |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Treiberart | High and Low Side |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| High Side- und Low Side-Abhängigkeit | Synchronous |
| Typ | IGBT|GaNFET|MOSFET|SiCFET |
| Anzahl der Ausgänge | 2 |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 10.5(Typ) |
| Max. Abfallzeit (ns) | 13.3(Typ) |
| Max. Laufzeitverzögerungszeit (ns) | 45(Typ) |
| Eingangslogikkompatibilität | TTL |
| Mindestbetriebsspannung (V) | 2.5 |
| Max. Betriebsversorgungsspannung (V) | 5.5 |
| Max. Versorgungsstrom (mA) | 8(Typ) |
| Typische Eingangsspannung, unterer Schwellwert (V) | 0.8(Min) |
| Typ. Eingangsspannung, hoher Schwellwert (V) | 2(Max) |
| Spitzenausgangsstrom (A) | 4(Typ) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Spezielle Funktionen | Under Voltage Lockout |
| Verriegelt-Sicherstellung | Yes |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.55(Max) |
| Verpackungsbreite | 4(Max) |
| Verpackungslänge | 5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | SOIC N |
| Stiftanzahl | 8 |
