RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Material | Si |
Konfiguration | Single Dual Source |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Betriebsweise | FM |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 170 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±40 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.4 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 30 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 16 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 375@150V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 12@150V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 200@150V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 5(Min) |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 300000 |
Ausgabeleistung (W) | 150 |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 22 |
Max. Frequenz (MHz) | 175 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 50 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
Verpackung | Box |
Befestigung | Screw |
Verpackungshöhe | 5.33 |
Verpackungsbreite | 9.91 |
Verpackungslänge | 34.04 |
Leiterplatte geändert | 5 |
Stiftanzahl | 5 |