| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 170 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±40 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 60 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 4000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 4000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1580@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 65@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 810@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1350000 |
| Ausgabeleistung (W) | 600 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21 |
| Max. Frequenz (MHz) | 80 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 45 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Box |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 7.62 |
| Verpackungsbreite | 25.4 |
| Verpackungslänge | 38.1 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | Case T-2 |
| Stiftanzahl | 4 |
