| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | 3A991d. |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.31.00.60 |
| Familienname | MAX 10 |
| Max. Anzahl der Anwendungs-E/A | 101 |
| Prozesstechnologie | 55nm |
| Schieberegister | Utilize Memory |
| Typische Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.2 |
| Bausteinlogikzellen | 40000 |
| Anzahl der Multiplikatoren | 125 (18x18) |
| Programmspeicherart | SRAM |
| RAM-Bits (Kbit) | 1260 |
| Baustein-Logikeinheiten | 40000 |
| Anzahl globaler Takte | 20 |
| Baustein-Anzahl der DLLs/PLLs | 4 |
| Programmierbarkeit | Yes |
| Umprogrammierbar | Yes |
| Kopierschutz | No |
| Im System programmierbar | Yes |
| Geschwindigkeitsgrad | 7 |
| Standards für differenzielle E/A werden unterstützt | HSUL|LVDS|SSTL |
| Externe Speicherschnittstelle | DDR2 SDRAM|DDR3 SDRAM|DDR3L SDRAM|LPDDR2 SDRAM |
| Mindestbetriebsspannung (V) | 1.15 |
| Max. Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.25 |
| E/A-Spannung (V) | 1.2|1.35|1.5|1.8|2.5|3|3.3 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 100 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Verpackung | Tray |
