| RoHS EU | Supplier Unconfirmed |
| ECCN (USA) | 3A001a.2.c. |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | EA |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Typ | Module |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Halbwertswinkel-Grad (°) | 24 |
| Ansichtorientierung | Top View |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 20000 |
| Max. Abfallzeit (ns) | 20000 |
| Max. Lichtstrom (uA) | 12000 |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 25 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 7 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 50 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.3 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 50 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Durchmesser | 1.55(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 2.92(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Stiftanzahl | 2 |
