| RoHS EU | Supplier Unconfirmed |
| ECCN (USA) | 3A001.a.2.c |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Typ | Module |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Halbwertswinkel-Grad (°) | 10 |
| Ansichtorientierung | Top View |
| Spitzenwellenlänge (nm) | 800 |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 3000(Typ) |
| Max. Lichtstrom (uA) | 16000 |
| Max. Kollektorstrom (mA) | 50 |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 7(Min) |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 30(Min) |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 250 |
| Herstellungstechnologie | NPN |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Durchmesser | 5.84(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 6.1(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-46 |
| Stiftanzahl | 3 |
