| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | Module |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Ansichtorientierung | Top View |
| Spitzenwellenlänge (nm) | 890 |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 15000(Typ) |
| Max. Abfallzeit (ns) | 15000(Typ) |
| Max. Lichtstrom (uA) | 1800 |
| Max. Kollektorstrom (mA) | 50 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 5 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 25 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.4 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 50 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Verpackung | Bag |
| Befestigung | Snap in |
| Verpackungshöhe | 2.92(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.57(Max) |
| Verpackungslänge | 2.34(Max) |
| Leiterplatte geändert | 1 |
| Tab | Tab |
| Stiftanzahl | 2 |
