| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.49.70.40 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | IR Chip |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Ansichtorientierung | Top View |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 7000(Typ) |
| Max. Abfallzeit (ns) | 7000(Typ) |
| Max. Lichtstrom (uA) | 22000 |
| Max. Kollektorstrom (mA) | 50 |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 5 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 30 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.4 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 250 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Verpackung | Bag |
| Durchmesser | 5.31 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.56 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-18 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
