| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.49.80.00 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | IR Chip |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Ansichtorientierung | Side View |
| Max. Lichtstrom (uA) | 1000(Min) |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 5 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 30 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.4 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 100 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 100 |
| Verpackung | Bag |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.84(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.6 |
| Verpackungslänge | 6.22 |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Lieferantenverpackung | Side Looker |
| Stiftanzahl | 2 |
| Leitungsform | Through Hole |
