RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.49.80.00 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Typ | IR Chip |
Fototransistortyp | Phototransistor |
Linsenformart | Domed |
Material | Silicon |
Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
Polarität | NPN |
Ansichtorientierung | Side View |
Max. Lichtstrom (uA) | 2000(Min) |
Max. Dunkelstrom (nA) | 100 |
Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 5 |
Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 30 |
Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.4 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 100 |
Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 100 |
Verpackung | Bag |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 5.84(Max) |
Verpackungsbreite | 4.6 |
Verpackungslänge | 6.22 |
Leiterplatte geändert | 2 |
Lieferantenverpackung | Side Looker |
Stiftanzahl | 2 |
Leitungsform | Through Hole |