| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 190(Typ)@10V |
| Ausgabeleistung (W) | 150 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 16.5 |
| Max. Frequenz (MHz) | 2400 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 2300 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 52 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.76 |
| Verpackungsbreite | 9.78 |
| Verpackungslänge | 20.57 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | Case H-37248 |
| Stiftanzahl | 3 |
