| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 190(Typ)@10V |
| Ausgabeleistung (W) | 380 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1880 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1805 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 30.3 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.58 |
| Verpackungsbreite | 10.16 |
| Verpackungslänge | 32.26 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Lieferantenverpackung | Case H-37275G-6/2 |
| Stiftanzahl | 7 |
