| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | IR Chip |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Halbwertswinkel-Grad (°) | 74 |
| Ansichtorientierung | Side View |
| Spitzenwellenlänge (nm) | 920 |
| Sperrfilter | Visible Cut-off |
| Max. Lichtstrom (uA) | 4000 |
| Max. Kollektorstrom (mA) | 100 |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Max. Emitter-Kollektorspannung (V) | 7 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 70 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.3 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 150 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 85 |
| Verpackung | Tape |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5 |
| Verpackungsbreite | 2.65 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Stiftanzahl | 2 |
