Die Bourns® IGBT Discrete BID-Serie kombiniert die Technologien von MOSFET-Gates und Bipolar-Transistoren. Sie wurde für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen entwickelt.
Das Bauelement basiert auf der fortschrittlichen „Trench-Gate Field-Stop“-Technologie. Sie erlaubt eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften, was zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE (sat)) und geringeren Schaltverlusten führt. Dank der thermisch effizienten TO-252-, TO-247- und TO-247N-Gehäuse weisen die Bauelemente zudem einen geringeren thermischen Widerstand Rth(j-c), wodurch sie sich als IGBT-Lösungen für Schaltnetzteile (Switch-Mode Power Supplies, SMPS), unterbrechungsfreie Stromquellen (Uninterruptible Power Sources, UPS) und zur Leistungsfaktorkorrektur (Power Factor Correction, PFC) eignen.
BID‑SERIE ANSEHEN – EIGENSCHAFTEN & ANWENDUNGEN (PDF)
Anwendung
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