Die Toggle MRAM-Produkte von Everspin entsprechen dem SRAM-Industriestandard und umfassen Dichten zwischen 1 Mb bis 16 Mb in RoHS-konformen TSOP- und BGA-Gehäusen. Die seriellen Toggle MRAMs verfügen über dieselbe SPI-Schnittstelle wie Flash und EEPROM, jedoch mit einer Taktgeschwindigkeit von 40 MHz und ohne Schreibverzögerungen.
Produkt-Highlights
Parallele Toggle MRAM-Schnittstelle
MRAMs mit paralleler Schnittstelle verfügen über kurze, nicht flüchtige SRAM-Lese- und -Schreibzykluszeiten. Die I/O-MRAMs mit 16 bit umfassen Dichten zwischen 1 Mb und 16 Mb. Die I/O-MRAMs mit 8 bit umfassen Dichten zwischen 256 kb und 16 Mb. Die nicht flüchtigen RAMs von Everspin bieten eine unendliche Lese- und Schreibbeständigkeit. Alle Produkte verfügen über ein RoHS-konformes TSOP- oder BGA-Gehäuse.
Toggle MRAM mit serieller SPI-Schnittstelle
Die seriellen MRAMs laufen mit einer Taktzeit von 40 MHz und ohne Schreibverzögerungen. Im Gegensatz zu den herkömmlichen EEPROM-Technologien sind MRAMs äußerst beständig. Dichten zwischen 256 kb und 4 Mb sind in RoHS-konformen 8-Pin-DFN-Gehäusen erhältlich.
Spin-Torque DDR3 MRAM
ST-MRAM ist ein leistungsoptimierter Storage Class Memory (SCM), der die Rolle der modernen herkömmlichen Speicher mit den Anforderungen zukünftiger Speichersysteme verbindet, indem er eine nicht flüchtige Speicherlösung hoher Beständigkeit und mit ultrageringer Latenz bietet. Das 64-MB-Gerät ist das erste Produkt der ST-MRAMs von Everspin für Gigabit-Dichtenspeicher und hohe Geschwindigkeiten. Derzeit werden Proben des EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM von Everspin von ausgewählten Kunden getestet.