Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, bringt ein neues Portfolio von GaN-FET-Bauteilen in der GaN-Hochvolt-Technik HEMT H2 der nächsten Generation auf den Markt, das sowohl im TO-247 als auch im unternehmenseigenen CCPAK-Package für die Oberflächenmontage erhältlich ist. Darüber hinaus kündigte das Unternehmen auch die Einführung neuer Silizium-Germanium-Gleichrichter („SiGe”-Gleichrichter) mit Sperrspannungen von 120 V, 150 V und 200 V an, welche die hohen Wirkungsgrade von Schottky-Dioden und die thermische Stabilität von Fast-Recovery-Dioden in sich vereinen.
Power-GaN-FETs der zweiten Generation (H2)
Effiziente und effektive Hochleistungs-FETs
Mit der Erweiterung des GaN-Sortiments von Nexperia durch den neuen GAN041-650WSB ergeben sich sowohl Leistungsverbesserungen als auch eine „80 Plus Titanium”-zertifizierte Effizienz. Damit werden auch die neuen EU-Anforderungen für die Stromversorgung von Servern erfüllt. GaN ist besonders interessant für die Bereiche Industrie und Automotive, wo die Stromausbeute und die Leistungsdichte entscheidend für die Marktakzeptanz sind. GaN-FETs ermöglichen kleinere, schnellere, kühlere und leichtere Systeme mit geringeren Gesamtsystemkosten.
Broschüre zur Leistung,
Effizienz und Zuverlässigkeit von GaN-FETs herunterladen
Haupteigenschaften:
• Extrem niedrige Umkehr-Erholungsladung
• Einfacher Gate-Treiber (0 V bis +10 V oder 12 V)
• Robustes Gateoxid (Kapazität von ±20 V)
• Hohe Gate-Schwellwertspannung (+4 V) für sehr gute Gate-Bounce-Immunität
• Sehr niedrige Source-Drain-Spannung im Rückwärts-Leitungsmodus
•Transiente Überspannungsfähigkeit
Anwendungen:
• Hart- und weichschaltende Wandler für Industrie- und Datenkommunikationsleistung
• Brückenlose Totem-Pole-PFC
• PV- und USV-Wechselrichter
• Servomotorantriebe
Silizium-Germanium(SiGe)-Gleichrichter
Hohe Effizienz, thermische Stabilität und Platzeinsparungen der Spitzenklasse
Die SiGe-Gleichrichter von Nexperia vereinen die hohe Effizienz von Schottky-Gleichrichtern und die thermischen Stabilität von Fast-Recovery-Dioden. Die AEC-Q101-konformen Gleichrichter sind für die Automobilbranche, den Servermarkt sowie die Kommunikationsinfrastruktur konzipiert und eignen sich ideal für Anwendungen mit hohen Temperaturen. Diese Geräte mit äußerst geringem Leckstrom ermöglichen einen erweiterten sicheren Betriebsbereich bis 175 °C, ohne dass die Bauteile thermisch instabil werden. Gleichzeitig bieten Sie deutlichen Spielraum für die Optimierung Ihres Designs hin zu einer höheren Effizienz. 
Flyer zu den
SiGe-Gleichrichtern herunterladen
SiGe-Produktreihe von Nexperia
Haupteigenschaften
• Sperrspannung von 120 V, 150 V und 200 V
• Durchlassstrom von 1 A, 2 A und 3 A
• Niedrige Vorwärtsspannung und niedrige Sperrverzögerungsladung
• Extrem niedriger Leckstrom von < 1="" na="">
• Thermische Stabilität von bis zu 175 °C Tj
• Schnelle und weiche Schaltung
• Geringe parasitäre Kapazität
• AEC-Q101-qualifiziert
• Platzsparendes, robustes CFP-Gehäuse
Vorteile
• Exzellente Effizienz
• Erweiterter sicherer Betriebsbereich
Anwendungen
• Automobilbranche, z. B. LED-Beleuchtung, Motorsteuerungseinheiten
• Kommunikationsinfrastruktur
• Spannungsversorgung von Servern