Die Halbleiter und die Steuerarchitektur von Infineon bieten durch ihr einzigartiges Design einen höheren Wirkungsgrad sowie eine größere Leistungsdichte und Kosteneffizienz für Ihre Produkte. Alle unsere N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serien von OptiMOS™ und StrongIRFET™ für industrielle Anwendungen bringen Innovation und Leistung in Ihre Anwendung.
OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch Bestleistung in ihrer jeweiligen Klasse aus. Zu den Eigenschaften zählen neben einem extrem niedrigen RDS(on) auch eine geringe Belastung für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen. StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs wurden für rauen industrielle Anwendungen konzipiert. Sie eignen sich ideal sowohl für Designs mit niedriger Schaltfrequenz als auch für Designs, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.
Für Anwendung mit niedrigen Frequenzen ist OptiMOS™ 5 die beste Option, wenn klassenbeste Leistung erforderlich ist. Dagegen empfiehlt sich der StrongIRFET™ für Anwendungen im Spannungsbereich von 20 bis 75 V, wenn auf klassenbeste Leistung zugunsten niedriger Kosten verzichtet werden kann.
Für klassenbeste Leistungen im Spannungsbereich von 80 bis 150 V wird OptiMOS™ 5 empfohlen. Wenn ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis wichtiger ist als klassenbeste Leistung, dann wird OptiMOS™ 3 empfohlen.
OptiMOS™ 3 eignet sich für Spannungen von mehr als 150 V. Ferner sind ältere Trench-MOSFETs, die hier als HEXFET™ gezeigt werden, eine Option für stark kommodisierte Industrien, wo der Kostenaspekt im Vordergrund steht.
Für Hochfrequenzanwendungen wird OptiMOS™ 5 für klassenbeste Leistung und optimales Preis-Leistungs-Verhältnis bis zu 150 V empfohlen. Wenn hohe Leistung nicht zwingend erforderlich ist, kann auch OptiMOS™ 3 eingesetzt werden. Ist wie bei Anwendungen mit niedrigen Frequenzen ist OptiMOS™ 3 auch für Spannungen von mehr als 150 V verfügbar.
Insgesamt bietet Infineon mit seinem OptiMOS™-Sortiment, das jetzt auch durch StrongIRFET™ -Leistungs-MOSFETs ergänzt wird, eine wirklich leistungsfähige Kombination. Mit dem gemeinsamen Portfolio von MOSFETs für Spannungen zwischen 20 V bis hin zu 300 V lässt sich ein breites Anforderungsspektrum von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen abdecken. Die unten stehenden Tabellen geben Orientierungshilfe für empfohlene OptiMOS™ oder StrongIRFET™ Produkte für jede bedeutende Unteranwendung und Spannungsklasse.
Eigenschaften
Anwendungen
Das gesamte Spektrum der N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serien OptiMOS™ und StrongIRFET™ ermöglicht Innovation und Leistung in zahlreichen Anwendungen, deren Bandbreite von Schaltmodus-Spannungsversorgungen (SMPS) über Motorsteuerung und Antriebe bis hin zu Wechselrichtern und Computertechnik reicht.
Antriebe
Für stark beanspruchte Anwendungen wie Elektrowerkzeuge, elektrische Spielzeuge und Industrieantriebe wird StronIRFET™ besonders empfohlen.
Für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz empfehlen wir OptiMOS™.
Wechselrichter
Für Anwendungen wie Solarstromversorgungen oder unterbrechungsfeie Spannungsversorgungen empfehlen wir OptiMOS™.
Für akkubetriebene Inselsysteme wird StrongIRFET™ empfohlen.
SMPS
Für SMPS-Anwendungen empfehlen wir vorrangig OptiMOS™.
Für kostensensitive SMPS-Anwendungen könnte auch StrongIRFET™ die richtige Wahl sein.
