Nanya Technology | Arrow.de

Teile-Nr.	Preis	Bestand	Hersteller	Kategorie	Beschreibung	Typical Operating Supply Voltage - (V)	Data Bus Width - (bit)	Organization	Maximum Operating Current - (mA)	Maximum Clock Rate - (MHz)	Maximum Operating Temperature - (°C)	Minimum Operating Supply Voltage - (V)	Minimum Operating Temperature - (°C)	Number of Internal Banks	Address Bus Width - (bit)	ROHS	Pin Count	Number of Bits per Word - (bit)	Supplier Package	Life Cycle	Type	Density - (bit)	Number of Words per Bank	Maximum Access Time - (ns)	Packaging	Maximum Operating Supply Voltage - (V)	Interface Type	Density in Bits - (bit)	Package Family Name

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Datenblatt für 34 Produkte: Anzeigen NT5CC512M8EQ-EK NT5CC512M8EQ-DI NT5CC512M8EQ-DIB NT5CB256M16ER-EKT NT5CB256M16ER-DII NT5CB256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI NT5CB256M16ER-DI NT5CB512M8EQ-DII NT5CC512M8EQ-DII NT5CB256M16ER-EK NT5CB512M8EQ-EK NT5CB512M8EQ-DI NT5CC256M16ER-DI NT5CC512M8EQ-EKT NT5CC256M16ER-EKT NT5CB512M8EQ-DIT NT5CC512M8EQ-DIT NT5CB512M8EQ-FLI NT5CB512M8EQ-EKI NT5CB256M16ER-DIT NT5CB512M8EQ-EKT NT5CC256M16ER-EKI T&R NT5CC256M16ER-EKT TR NT5CC256M16ER-EK	Datenblatt ansehen	Verschiedenes	Nanya Technology	DRAM-Chip	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes	Verschiedenes
NT5CC512M8EQ-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TFBGA			Nanya Technology	DRAM-Chip	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TFBGA	1.35	8	512Mx8	1866	95	1.283	0	8	19	Yes	78	8	TFBGA	Active	DDR3L SDRAM	4G	64M		1.45	SSTL_135	4294967296	BGA
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NT5CC256M16ER-EKI T&R DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA			Nanya Technology	DRAM-Chip	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA	1.35	16	256Mx16	1866	95	1.283	-40	8	18	Yes	96	16	TFBGA	Active	DDR3L SDRAM	4G	32M		1.45	SSTL_135	4294967296	BGA
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