Die Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden von Bourns® bieten eine hervorragende Strombelastbarkeit. Diese fortschrittlichen Leistungskomponenten eignen sich für Anwendungen wie z. B. Wechselrichter, die eine hohe Durchlassspitzenkapazität, einen geringen Durchlassspannungsabfall, einen geringen thermischen Widerstand und eine niedrige Verlustleistung erfordern, was zu einem hohen Wirkungsgrad führt.
Die Schottky-Barriere-Dioden (SBD) aus Siliziumkarbid der Serie BSD von Bourns® sind für die Anforderungen moderner Hochfrequenz- und Hochstromanwendungen konzipiert und zeichnen sich durch fortschrittliche Funktionen zur Verbesserung von Lösungen zur Leistungsumwandlung aus. Die BSD-Modelle von Bourns® arbeiten in einem Spannungsbereich von 650 V bis 1200 V und Stromstärken von 6 A bis 10 A. Sie sind vielseitig einsetzbar, z. B. für DC-DC- und AC-DC-Wandler, SMPS, Photovoltaik-Wechselrichter, Motorantriebe und Gleichrichter. Mit Gehäuseoptionen wie TO220-2, TO247-3, TO252 und DFN8x8 bietet die BSD-Serie die nötige Flexibilität, um den individuellen Anforderungen Ihrer Anwendung gerecht zu werden. Diese Anpassungsfähigkeit ermöglicht es Entwicklern, kompakte Leistungselektronik auf dem neuesten Stand der Technik zu entwickeln, bei gleichbleibend hoher Leistung.
Eigenschaften
- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad
- Niedriger Rest-Sperrstrom
- Hoher Spitzenstoßstrom in Durchlassrichtung (IFSM)
- Reduzierte EMI – kein Rückstrom
- Geringe Wärmeabgabe – Niedrige Durchlassspannung (VF)
- Max. Betriebstemperatur im Sperrschichtbereich (TJ) bis 175 °C
- Epoxid-Vergussmasse ist flammhemmend gemäß der Norm UL 94V-0
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien*, frei von Blei und Halogenen**
Anwendungen
- Schaltnetzteile (Switched-Mode Power Supplies, SMPS)
- Leistungsfaktorkorrektur (Power Factor Correction, PFC)
- Inverter, fotovoltaisch
- DC-DC- und AC-DC-Wandler
- Telekommunikation
- Motorantriebe