Samsung Electronics Datenspeicher
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Main Category | Density - (bit) | Cell Type | Subcategory | Density in Bits - (bit) | Total Density | Organization | Architecture | Programmability | Number of Bits per Word - (bit) | Boot Block | Number of Internal Banks | Module Type | Block Organization | Number of Words per Bank | Number of Chip per Module | Data Rate Architecture | Timing Type | Minimum Operating Supply Voltage - (V) | Data Bus Width - (bit) | Chip Density - (bit) | Address Width - (bit) | Number of Ports | Maximum Clock Rate - (MHz) | Number of Words | Maximum Access Time - (ns) | Interface Type | Process Technology | Address Bus Width - (bit) | Chip Configuration | Chip Package Type | Maximum Operating Current - (mA) | Maximum Operating Supply Voltage - (V) | Supplier Temperature Grade | ECC Support | Number of Ranks | CAS Latency | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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| K4T51163QG-HIE6000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 84 | FBGA | BGA | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M470T2864EH3-CE600 DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 200SODIMM |
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Samsung Electronics | Memory Modules | 200 | USODIMM | DIMM | No | No | No | No | No | 4A994.a | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KLMCG8GEND-B031
MLC NAND Flash Serial e-MMC 3V/3.3V 512G-bit 512G/128G/64G x 1/4-bit/8-bit 153-Pin FBGA
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Samsung Electronics | Flash | No | No | 3A991.b.1.a | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M471A5244CB0-CTD
260pin Unbuffered SODIMM based on 8Gb C-die
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Samsung Electronics | Memory Modules | 260 | USODIMM | DIMM | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4B4G0846E-BYMATCV
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V/1.5V 78-Pin FBGA
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 78 | FBGA | BGA | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M378A5143EB2-CRC DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 288UDIMM |
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Samsung Electronics | Memory Modules | 288 | UDIMM | DIMM | No | No | No | No | 4A994 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G084QF-BCE7000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 60 | FBGA | BGA | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M393A4K40DB2-CVF_SOW37 DDR4 RDIMM |
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Samsung Electronics | Memory Modules | 288 | RDIMM | DIMM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S281632I-UC60T00 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 54 | TSOP-II | SO | Unknown | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4A4G165WD-BCPB000 DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 96 | FBGA | BGA | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4X1G163PC-FGC6000 Mobile-DDR SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KLM8G1GETF-B041T06
MLC NAND Flash Serial e-MMC 3V/3.3V 64G-bit 64G/16G/8G x 1/4-bit/8-bit 153-Pin FBGA
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Samsung Electronics | Flash | 153 | FBGA | BGA | No | No | No | No | 3A991.b.1.a | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KLMBG2JETD-B041000
eMMC architecture for embedded memory
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Samsung Electronics | Flash | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F1G08U0D-SIB0T00 FLASH MEMORY |
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Samsung Electronics | Flash | 3A991b.1.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K7R641882M-EC20000 2MX36 AND 4MX18 AND 8MX9 QDR II B2 SRAM |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 3A991b.2.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6X0808C1D-DF55000 SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin PDIP Tube |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 256K | 262144 | 8 | Asynchronous | 1 | 32K | 55 | 15 | Industrial | Tube | 28 | PDIP | DIP | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4B1G1646I-BYK0000 DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 96 | FBGA | BGA | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S561632N-LC60000 256MB N-DIE SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6T4008C1C-GF55000 512KX8 BIT LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | Unknown | Unknown | Unknown | Unknown | Unknown | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G164QQ-HCE70T0 1GB Q-DIE DDR2 SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | Unknown | Unknown | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F4G08U0D-SCB0T00 4Gb D-die NAND Flash |
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Samsung Electronics | Flash | 3A991b.1.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G164QF-BCE7000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6X4016T3F-UF70000 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 3A991b.2.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T51163QN-BCF7T00 1GB Mobile-DDR SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9K8G08U0E-SCB0T00 Flash Memory IC |
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Samsung Electronics | Flash | No |