Reduced Parts Count LNA for 1.4 - 2GHz using the SiGe Transistor BFP640F

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP640F von Infineon Technologies AG

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Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • Audio
  • GPS

Beschreibung

  • Reduced Parts Count LNA for 1.4 - 2GHz using the SiGe Transistor BFP640F. Low Noise Silicon-Germanium BFP640F RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a reduced component count, low-cost LNA circuit suitable for 1.4 to 2GHz applications which require high gain and noise figures in the 0.9 dB range

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    1400 to 2000 MHz
  • Output Power
    16.8 dBm
  • Gain
    26.2 dB

Empfohlene Bauteile (2)

Empfohlene Bauteile
Teilenummer Hersteller Typ Beschreibung
BFP 640F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R In den Warenkorb
BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R In den Warenkorb

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