Effiziente AC/DC-Spannungsversorgungen sind entscheidend für die Leistungsfähigkeit der sich schnell entwickelnden Infrastrukturen zur Tele- und Datenkommunikation. Die momentan verfügbaren Silizium-MOSFETs haben jedoch ihre theoretisch mögliche Grenze bei der Leistungsabgabe erreicht. In diesem Artikel erfahren Sie, wie die neue Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Analog Devices Hardwaredesigner beim Entwickeln innovativer Produkte unterstützt.
Galliumnitrid-Transistoren bieten eine effizientere Energieumwandlung und ermöglichen größere Dichten. Aus folgenden Gründen können sie viel schneller schalten als ihre Vorgänger, die Silizium-MOSFETs:
● niedrigere Gate‑ und Ausgangskapazität,
● niedrigerer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) für den Einsatz bei höheren Strömen zur Reduzierung von Leitungsverlusten,
● geringe oder bis auf null reduzierte Umkehr-Erholungsladung (QRR), da keine Body-Diode verwendet wird.
Ein sich abzeichnender Trend in der Welt der GaN-Module ist die Bündelung mit einem Isolationsbarriere-Treiber. Der Hauptvorteil dieser Entwicklung ist eine schnellere Schaltleistung durch Reduzierung parasitärer Induktoren. Ein gutes Beispiel für ein integriertes Modul-Treiber-Paket ist das ADuM110N mit geringer Laufzeitverzögerung und hoher Frequenz.
Letztendlich bieten GaN-Transistoren kleinere Baugrößen, niedrigere Widerstände und höhere Arbeitsfrequenzen als die Vorgängergenerationen der Spannungsversorgungstechnologie. Durch neue Entwicklungen wie iCoupler® von Analog Devices können die Vorteile von GaN auch für Mittel- und Hochspannungsversorgungen genutzt werden.
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