Die für die anspruchsvollen Anwendungen von heute optimierten CoolMOS™ P7-MOSFETs von Infineon setzen neue Maßstäbe in Bezug auf Effizienz und thermische Leistung und bieten gleichzeitig Infineons Lösung für Flyback-Topologien.
Die neue Serie 800 V CoolMOS™ P7 setzt einen neuen Meilenstein für 800-V-Superjunction-Technologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit – das Ergebnis von Infineons mehr als 18 Jahren bahnbrechender Innovationen auf diesem Technologiesektor.
Die neue Serie 700 V CoolMOS™ P7 wurde entwickelt, um die heutigen und insbesondere die zukünftigen Trends bei Flyback-Topologien zu bedienen. Sie richtet sich an Entwickler energiesparender SMPS wie Handy-Ladegeräte oder Notebook-Adapter und bietet erhebliche Leistungssteigerungen im Vergleich zu anderen heute verwendeten Superjunction-Technologien.
700 V CoolMOS™ P7-Serie
800 V CoolMOS™ P7-Serie
Haupteigenschaften 800 V
- • Klassenbester FOM RDS(on) * Eoss; reduzierter Qg, Ciss und Coss
- • Klassenbester DPAK RDS(on) von 280 mΩ
- • Klassenbester V(GS)th von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V
- • Integrierter ESE-Schutz mit Zener-Diode bis Klasse 2 (HBM)
- • Branchenweit führende Qualität und Zuverlässigkeit
- • Vollständig optimiertes Portfolio
Haupteigenschaften 700 V
- • Extrem niedriger FOM RDS(on) x Eoss; niedriger Qg, Eon und Eoff
- • Hochwirksame Technologie
- • Niedrige Schaltverluste (EOSS)
- • Hocheffizient
- • Ausgezeichnetes Wärmeverhalten
- • Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge möglich
- • Integrierter ESE-Schutz mit Zener-Diode
- • Optimierter VGS(th) von 3 V mit äußerst engem Toleranzbereich von ± 0,5 V
- • Fein abgestuftes Portfolio
Mögliche Anwendungen
- • Adapter
- • LED
- • Audio
- • Industrielle SMPS
- • AUX Power
- • Ladegeräte
- • TV
- • Beleuchtung
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