Diese Technologie gewährleistet, dass umweltfreundliche, geräuscharme und effiziente Fahrzeuge auf unseren Straßen unterwegs sind
Klimawandel, Ölknappheit, Luftverschmutzung: Mobilität muss in Zukunft CO2-neutral sein. E-Autos und Hybridfahrzeuge stoßen, wenn überhaupt, weniger Abgase aus als Fahrzeuge mit Verbrennungsmotor. Die Elektromobilität ist deshalb ein wichtiges Instrument, um dies zu ermöglichen – solange der Strom aus erneuerbaren Energien gewonnen wird. Die Internationale Energieagentur (IEA) prognostiziert, dass Elektrofahrzeuge bis 2030 einen Marktanteil von rund 30 Prozent haben werden, mit einer Gesamtzahl von 34 Millionen E-Autos auf den Straßen.
Elektrofahrzeuge verändern die Art und Weise, wie wir uns fortbewegen – nicht nur, weil sie umweltfreundlicher sind. Ein E-Auto kostet mehr als vergleichbare Benzin- oder Dieselfahrzeuge. Das liegt vor allem an den hohen Kosten für die Batterieherstellung, auch wenn die Preise in den letzten Jahren gefallen sind. Strom ist aber günstiger als fossile Brennstoffe. Elektrofahrzeuge benötigen außerdem weniger Wartung und Reparaturen. Es müssen keine Öl- und Filterwechsel vorgenommen werden, und es gibt keine Abgassysteme oder Zahn- und Keilriemen.
Ein Verbrennungsmotor besteht aus rund 2500 Komponenten, die gefertigt und montiert werden müssen – ein Elektromotor hat dagegen nur 250 Komponenten. E-Autos können durch Software-Updates Over-The-Air (SOTA) unkompliziert und schnell gewartet werden. Elektrofahrzeuge bieten hohe Leistung und haben eine viel höhere Effizienz als Fahrzeuge mit Verbrennungsmotor: Das Verhältnis zwischen der zugeführten und nutzbaren Energie beträgt bei elektrischen Antriebssträngen rund 90 Prozent. Dieser Wert beträgt bei Benzinmotoren nur 35 Prozent und bei Dieselmotoren 45 Prozent. Der Rest geht beispielsweise in Form von Wärme verloren.
E-Autos können aufgrund der Tatsache, dass sofort ein hohes Drehmoment zur Verfügung steht, schneller aus dem Stand beschleunigen. Außerdem können sie mithilfe des Inverters Energie gewinnen, wie zum Beispiel beim Bremsen, und diese in die Batterie zurückspeisen. Dieser Effekt wird Rekuperation genannt. E-Autos haben in manchen Ländern Sonderrechte: In einigen Städten in Deutschland können sie beispielsweise kostenlos parken und die Busspuren nutzen. Fahrer von E-Autos in Norwegen genießen sogar noch mehr Privilegien.
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HybridPACK™ Treibermodul FS660R08A6P2FB HybridPACK™ Treibermodul mit EDT2 IGBT und Diode ist ein sehr kompaktes, für Hybrid- und Elektrofahrzeuge optimiertes Six-Pack-Modul. Das Produkt FS660R08A6P2FB verfügt über ein flache Grundplatte und ist ein 750 V/660 A Modul-Derivat in der HybridPACK-Treiberfamilie. |
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Doppelseitig gekühltes Modul Das HybridPACK™ DSC S1 ist ein sehr kompaktes Halbbrücken-Modul für Hybrid- und Elektrofahrzeuge. |
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Überwachungs- und Ausgleichs-IC für Lithium-Ionen-Akku Spannungsüberwachung von bis zu 12 in Reihe geschalteten Batteriezellen. Hot-Plugging-fähig. Dedizierter 16-Bit Delta-Sigma-A/D-W für jede Zelle mit wählbarem Messmodus. |
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ISO-UART-Transceiver-IC Komptabilität mit Ring-Modus-Topologie. Zwei UART-Anschlüsse für die serielle Kommunikation mit dem Host-Mikrocontroller. Zwei Iso-UART-Schnittstellen für die Kommunikation mit anderen BMS-ICs |
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Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe der fünften Generation Hochgeschwindigkeits-IGBT mit TRENCHSTOP™ 5-Technologie im gemeinsamen Gehäuse mit einer schnellen und weichen antiparallelen RAPID-1-Diode. |
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CoolSiC™ 650 V G5 Schottky-Diode für den Einsatz in Automobilen 650 V/8 A Siliziumkarbid-Schottky-Diode in D2PAK (Real-2-Pins). Revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid. |
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Easy 1B-Modul CoolSiC™ MOSFET für den Einsatz in Automobilen Das EasyDUAL Modul mit CoolSiC™ MOSFET für den Einsatz in Automobilen und PressFIT/NTC ist ein Halbbrücken-Modul, das die Vorteile der robusten Siliziumkarbid-Technologie von Infineon mit einem sehr kompakten und flexiblen Gehäuse für Hybrid- und Elektrofahrzeuge (Brennstoffzellen-Fahrzeuge) kombiniert. |
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32-Bit Mikrocontroller TC233 / TC234 / TC237 32-Bit Ein-Chip-Mikrocontroller A-Step. 32-Bit Ein-Chip-Mikrocontroller |
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HybridPACK™ Treibermodul FS380R12A6T4B
Das
HybridPACK™ Treibermodul mit Trench/Fieldstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter 4-Diode ist ein sehr kompaktes, für Hybrid- und Elektrofahrzeuge optimiertes Six-Pack-Modul (1200 V/380 A). |
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EiceDRIVER™ Gate-Treiber Isolierter Ein-Kanal-IGBT-Treiber, der kernlose Transformator-Technologie verwendet. Für IGBTs bis zu 1200 V. CMTI bis zu 150 V/ns bei 1000 V. |
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650 V CoolMOS™ CFDA-Leistungstransistor MOSFET Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. CFDA 650 V CoolMOS™ CFDA-Leistungstransistor für den Einsatz in Automobilen. IPx65R150CFDA. |
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EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Fieldstop IGBT3 Das EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Fieldstop IGBT3 und Rapid-1-Diode und PressFIT/NTC verfügt über eine Hochfrequenz-Schaltanwendung für Automobilanwendungen. |
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HybridPACK™ Treibermodul FS820R08A6P2 Das HybridPACK™ Drive ist ein sehr kompaktes, für Hybrid- und Elektrofahrzeuge optimiertes Six-Pack-Modul (750 V/820 A). |
Broschüren
Whitepapers
Es besteht aufgrund der ständig wachsenden Zahl von Elektrofahrzeugen auf dem Markt und des Drucks von Regierungen, die Fahrzeugemissionen bis spätestens 2050 auf Null zu reduzieren, ein großer Bedarf an effizienteren Ladelösungen. Wie verschiedene Verbraucherstudien zeigen, ist die Akzeptanz von Elektromobilität sehr stark von der Verfügbarkeit und Dauer des Ladeprozesses abhängig. Hochleistungs-DC-Ladestationen sind die Antwort auf diese Marktanforderungen. Ein klassisches Elektrofahrzeug kann heute bereits rund 80 % seiner Batteriekapazität in weniger als zehn Minuten laden. Das ist mit dem Auftanken eines herkömmlichen Fahrzeugs mit internem Verbrennungsmotor vergleichbar.
Infineon unterstützt Sie als Marktführer im Bereich Leistungselektronik dabei, energieeffiziente DC-Schnelllade-Vorrichtungen zum Leben zu erwecken. Profitieren Sie von den umfangreichsten, direkt implementierbaren One-Stop-Produkt- und Design-Portfolios auf dem Markt, welche die gesamte Produktpalette in den Bereichen Leistungsumwandlung, Mikrocontrollern, Sicherheit, Hilfsstromversorgung und Kommunikation abdecken.
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Die Einzelprodukte von Infineon bieten das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für DC-Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge bis zu 150 kW. Dazu zählen unsere Produktfamilien 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET P7 und CFD7, 650 V IGBT TRENCHSTOP™ 5 und 1200 V CoolSiC™ MOSFET. Die unübertroffenen Vorteile unserer CoolMOS™ und CoolSiC™ MOSFETs sind u.a. Hochfrequenzbetrieb, hohe Leistungsdichte und geringere Schaltverluste, wodurch Sie in jedem Batterieladesystem ein hohes Maß an Effizienz erreichen können. Unser Portfolio von Hochvolt-Schaltern wird durch 650 V und 1200 V CoolSiC™ Schottky-Dioden ergänzt. Da jeder Schalter einen Treiber benötigt und jeder Treiber gesteuert werden muss, bieten wir auch die passenden EiceDRIVER™ Gate-Treiber sowie XMC™ und AURIX™ Mikrocontroller für EV-Ladevorrichtungen an. OPTIGA™ Produkte vervollständigen das Portfolio und garantieren Datenschutz und -sicherheit. Ladegeräte im Leistungsbereich oberhalb 50 kW werden typischerweise mit IGBTs CoolSiC™ MOSFETs und Dioden-Leistungsmodulen gebaut, z.B. CoolSiC™ Easy Module, IGBT EconoPACK™ und die Produktfamilie IGBT EconoDUAL™. Ladestapel mit einer Kapazität von mehr als 100 kW werden in der Regel in einem modularen Ansatz mit gestapelten Untereinheiten gebaut. Diese Untereinheiten erreichen heute bereits eine Kapazität von je 20-50 kW und werden in zukünftigen Designs darüber hinausgehen.
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1200 V CoolSiC™ Halbbrücken-MOSFET-Modul Das EasyDUAL™ 2B 1200 V, 6 mΩ Halbbrücken-Modul mit CoolSiC™ MOSFET, NTC-Temperatursensor, PressFIT Kontakttechnologie und Aluminiumnitrid-Keramik ermöglicht eine bessere Wärmeleitfähigkeit von DCB-Material (mögliche RthJH-Verbesserung um 40 %) und die herausragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit von CoolSiC™ MOSFETs. |
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EconoDUAL™ 3 IGBT-Modul Das EconoDUAL™ 3 1200 V, 450 A duale IGBT-Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter-gesteuerter HE-Diode, NTC und PressFIT Kontaktechnologie ist auch mit Thermal Interface Material verfügbar. Es werden weder Stecker noch Kabel benötigt, und es ist ideal für Induktionssystem-Vorrichtungen geeignet. |
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650 V CoolSiC™ MOSFET Der IMZA65R027M1H CoolSiC™ MOSFET 650 V ist so optimiert, dass er keine Kompromisse erlaubt, um die geringsten Verluste in der Anwendung und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb zu erreichen. Dieser SiC MOSFET hat ein TO247 4-Pin-Gehäuse, welches die Effekte von parasitärer Quelleninduktivität auf der Gate-Schaltung reduziert, was ein schnelleres Schalten und eine höhere Effizienz ermöglicht. |
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EiceDRIVER™ Enhanced Jeder Schalter benötigt einen Treiber, und der richtige Treiber macht einen Unterschied. Zu den isolierten Treibern der Produktfamilie EiceDRIVER™ Enhanced gehören nun auch der X3 Analog (1ED34xx) und X3 Digital (1ED38xx) mit branchenführender DESAT, Miller-Klemmung, Soft-Aus-Funktion und I2C-Konfigurationsfähigkeit. Diese hochflexible Gate-Treiberfamilie bietet ein weites Spektrum an konfigurierbaren Funktionen und Überwachungsoptionen. |
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CoolSiC™ 1200 V SiC Graben-MOSFET CoolSiC™ 1200 V SiC Graben-MOSFET Siliziumkarbid-MOSFET. Sehr niedrige Schaltverluste. Schwellenfreie Eigenschaften im Ein-Zustand. |
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EasyBRIDGE Modul EasyBRIDGE Modul mit CoolSiC™ Schottky-Diode und PressFIT / NTC. Kompaktes Design, robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern. |
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Hybrider CoolSiC™ IGBT TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT im gemeinsamen Gehäuse mit CoolSiCTM Schottky-Barriere-Diode der 6. Generation mit halber Nennleistung. |
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Hochpräziser kernloser Stromsensor TLI4971
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XENSIV™ – TLI4971-A050T5-E001 hochpräziser kernloser Stromsensor mit Analogschnittstelle und Dual-Fast-Ausgängen für die Überstromerkennung. |
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EiceDRIVER™ 1ED312xMU12F Compact 14 A, 3 kV (RMS) isolierter Ein-Kanal-Gate-Treiber mit separatem Ausgang, UL-1577-zertifiziert, 10,5 V UVLO. |
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EiceDRIVER™ 1ED31xxMC12H Compact 5,5 A, 5,7 kV (RMS) isolierter Ein-Kanal-Gate-Treiber mit separatem Ausgang, UL-1577- und VDE 0884-11-zertifiziert, 8 V UVLO. |
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600 V CoolMOS™ CFD7-Leistungstransistor CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelt wurde und deren Vorreiter Infineon Technologies ist. |
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EasyPACK™ Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT7 und CoolSiC™ Schottky-Diode EasyPACK™ Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT7 und CoolSiC™ Schottky-Diode und PressFIT/NTC. 3-Level-Anwendungen, Solaranwendungen. |
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62 mm Modul der C-Serie mit CoolSiC™ Graben-MOSFET 62 mm Modul der C-Serie mit CoolSiC™ Graben-MOSFET und vorappliziertem Thermal Interface Material. Hochfrequenz-Schaltanwendung. |
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CoolSiC™ 1200 V SiC Graben-MOSFET CoolSiC™ 1200 V, 7 mΩ SiC Graben-MOSFET in TO247-4-Gehäuse |
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