Unterstützung der Energiespeicherung der Zukunft
Angesichts des ständig steigenden globalen Energieverbrauchs und strenger Vorschriften zu Kohlendioxidemissionen bringt der Übergang zu erneuerbaren Energiequellen beispiellose Herausforderungen bei der Gewährleistung einer zuverlässigen Energieversorgung mit sich. Folglich steigt die Nachfrage nach Energiespeichersystemen zur Speicherung überschüssiger Energie. Ein wichtiges Element dieser Systeme ist das Energieumwandlungssystem (Power Conversion System, PCS) – das unverzichtbare Zwischenstück zwischen großen (DC-)Batteriebänken, der Speicherkomponente und dem (AC-)Stromnetz.
Das Energieumwandlungssystem (PCS) spielt eine entscheidende Rolle bei der AC/DC- und der DC/AC-Wandlung. Es steuert den Energiefluss, indem es ihn zum Laden in die Batterien leitet oder ihn vom Batteriespeicher in Wechselspannung umwandelt und ins Netz einspeist. Für PCS-Lösungen unter 30 kW bietet Infineon diskrete Komponenten wie OptiMOS™-, CoolMOS™- und CoolSiC™-MOSFETs sowie CoolGaN™ für fortschrittliche, schnell schaltende Designs, die optimal sind. Bei Leistungsstufen über 100 kW hingegen bietet der modulare Ansatz mit CoolSiC™- und IGBTs-Modulen zusammen mit hochintegrierten Easy-Modulen mit 3-Level-Topologie die größten ökonomischen Vorteile.
Der Bereich dazwischen erfordert eine Einzelfallanalyse, um zu ermitteln, ob diskrete oder modulare Lösungen besser geeignet sind. Für jeden Schalter ist ein Treiber erforderlich. Infineon bietet die passenden EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs sowie XMC™- und Stromsensorlösungen für die Steuerung dieser Treiber an. OPTIGA™-Produkte, die Datenschutz und Sicherheit gewährleisten, runden das Sortiment von Infineon ab.
- FF1000R17IE4 – PrimePACK™ 3 1.700 V, 1.000 A, duales IGBT-Halbbrückenmodul mit TRENCHSTOP™ IGBT4, NTC und schnell schaltendem Chip
- IPZA65R029CFD7XKSA1 – 650-V-Superjunction-MOSFET CoolMOS™ CFD7 mit integrierter Fast-Body-Diode in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse
- FF600R12ME4WB73BPSA1 – 1.200 V, 600 A, duales IGBT-Modul
- IMZA65R027M1HXKSA1 – CoolSiC™-MOSFET 650 V – SiC-MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1 – SiC-MOSFET in einem kompakten SMD-Gehäuse
- IMZ120R045M1XKSA – CoolSiC™ 1.200 V, SiC-Graben-MOSFET in einem TO247-4-Gehäuse
- IRF100P219AKMA1 – 100 V, einkanaliger N-Kanal-StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET in einem TO-247-Gehäuse
- 2EDF7275KXUMA1 – MOSFET und Leistungstreiber, 8 A, 2 Ausgänge, High Side, nicht invertierend, 13-polig, TFLGA T/R – Tape and Reel
- 1ED3125MU12FXUMA1 – 10 A, 3,0 kV (RMS), isolierter Ein-Kanal-Gate-Treiber mit aktiver Miller-Klemme, UL-1577-zertifiziert, 10,5 V UVLO
- TLI4971A120T5E0001XUMA1 – XENSIV™ – TLI4971-A1205T5-E0001 magnetischer Stromsensor für AC- und DC-Messungen in industriellen Anwendungen
- CY8C4588AZI-H675 – PSoC4-MCU-Mikrocontroller
Erfahren Sie mehr über Energiespeicher- und Energieumwandlungssysteme:
Whitepaper: Next-level power density in solar and energy storage with silicon carbide MOSFETs
Whitepaper: Renewables: the energy of the future together with energy storage systems
Broschüre: Residential & Commercial Energy Storage Systems (ESS) & multi-modular topology for 2nd life batteries
Video: Renewable Energy Tech Explainer
Webinar: From Renewables to Energy Storage - Trends and solutions offered by Infineon