Als führender Hersteller von Halbleitern mit breiten Bandlücken ist onsemi ein SiC-Pionier und hat SiC MOSFETs mit extrem niedrigem RDSon entwickelt. onsemi bietet Best-in-Class-Packagingtechnologie sowie ein umfassendes Spektrum an energieeffizienten Stromlösungen, darunter fortschrittliche SiC-basierte Geräte (Siliziumcarbid) wie SiC MOSFETs, SiC-Dioden, SiC- und GaN-Treiber sowie integrierte Module.
onsemi hat mit der Einführung von zwei neuen Produktfamilien das Angebot von Wide Band Gap (WBG)-Geräten erweitert: den SiC-MOSFET-Geräten mit N-Kanal bei 1200 V und 900 V. In diesem Dokument lernen Sie spannende neue Anwendungsfälle für diese innovativen neuen SiC MOSFETs kennen und erfahren, welche Endanwendungen am meisten von diesen profitieren können.