Für Ihre Bedürfnisse optimiert
Designer setzen neue Maßstäbe für die Leistung von Anwendungen, weshalb es immer wichtiger wird, zu verstehen, wie ein MOSFET in einer Anwendung verwendet wird. In der Vergangenheit konnte in praktisch jeder Anwendung ein standardmäßiger Leistungsschalter mit einer Gütezahl (Figure Of Merit, FOM) verwendet werden. Um jedoch konkreten Anforderungen oder Funktionalitäten von Anwendungen Rechnung zu tragen, ist es zunehmend notwendig, eine Reihe von MOSFET-Parametern so zu optimieren, dass sie perfekt an diese Anforderungen angepasst sind. Manche Anwendungen benötigen beispielsweise einen Sanftanlauf (Softstart), einen erweiterten sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA), eine zuverlässige Leistung im Linearbetrieb oder einen erweiterten Schutz. Bei Nexperia verbinden wir unser bewährtes Know-how rund um MOSFET mit unseren umfassenden Kenntnissen in Bezug auf Anwendungen, um ein wachsendes Angebot von anwendungsspezifischen MOSFETs zu entwickeln.
ASFETs für Kraftfahrzeuge für wiederholte Stoßentladungen
Garantierte wiederholte Stoßentladungen, für Automobilanwendungen zugelassen
Wenn für die Versorgung induktiver Lasten wie beispielsweise Magnetspulen mit Strom MOSFETs verwendet werden, dann finden sich in den meisten Schaltungsanordnungen zusätzliche Komponenten, um den MOSFET zu schützen, wenn der Laststrom während des Abschaltens weiter fließt. Dies kann von hocheffizienten aber teuren Verstärkungstopologien, die die Energie wiederverwenden, bis zu weniger effizienten aber kostengünstigeren Konzepten reichen, bei denen eine Freilaufdiode verwendet wird. Die einfache alternative Option, ein Aufbau für wiederholte Stoßentladungen, war bislang nur möglich, wenn Planartechnologie eingesetzt wurde. Durch die Optimierung von MOSFETs zur sicheren Handhabung wiederholter Stoßentladungsströme bei gleichzeitigem Konstanthalten der Temperatur unter 175 °C ist Nexperia in der Lage, ein wirklich robustes Gerät anzubieten, das zahlreiche Einsparungen auf Systemebene bietet.
Wichtige Merkmale
- • Gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- • Garantierte wiederholte Stoßentladungen, in bis zu einer Milliarde Zyklen getestet
- • Robuste Silikontechnologie kombiniert mit der thermischen Leistung von LFPAK gewährleistet, dass die Temperatur unter 175 °C bleibt
- • Durch den einfachen Einsatz eines einzelnen MOSFET wird die Stückliste (Bill of Materials, BOM) verkleinert und die Komplexität des Schaltkreises reduziert, während gleichzeitig die Kosten des Abgabesystems gesenkt und Platz eingespart wird
- • Moderne Trench- (Graben)-Alternative für ältere Planartechnologien
- • Bietet im Vergleich zum Freilaufdiodenkonzept einen höheren Wirkungsgrad und ermöglicht ein schnelleres Schalten
Anwendungen
- • Antriebsstranganwendungen
- • Magnetspulen für Kraftfahrzeuge; Stellantriebssteuerungen
- • Motorsteuerungen
- • Magnetspulensteuerungen
- • Hilfslasten
- • Getriebesteuerungen
- • Bremssysteme
Anwendungshinweise
- • Robustheitsbewertung der Einzel- und wiederholten Stoßentladungen von Leistungs-MOSFETs
- • Magnetspulenantrieb in Automobilanwendungen
Videos
Produkte/Datenblätter
50/55 V für 36 V DC-Motoren
Optimierter sicherer Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA), hohe ID-Bewertung und ausgezeichnete Stoßentladungsfähigkeit
Die Nachfrage nach 36 V DC-Motoren, oftmals unter Verwendung von mehrzelligen Lithium-Ionen-Akkupacks, steigt in einem wachsenden Spektrum von Anwendungen – von kabellosen Elektrowerkzeugen bis hin zu strombetriebenen Geräten für den Außenbereich und sogar E-Bikes und Motorrollern. Für den sicheren und effizienten Antrieb dieser anspruchsvollen Anwendungen werden MOSFETs benötigt, die für Hochstrom optimiert sind, einen soliden sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) bieten und über eine robuste Stoßentladungsbewertung verfügen. Nexperia hat sie mit unserem 50/55 V ASFET-Angebot auch hinsichtlich ihres Wirkungsgrades optimiert.
Wichtige Merkmale
- • Nexperias Superjunction-Technologie bietet einen erweiterten sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA), um Leistungsverlust durch Kurzschlüsse standzuhalten.
- • ID(max.); 200 A in einem LFPAK56, was ein maximales Drehmoment vom Motor und die zuverlässige Steuerung von Hoch- und Stillstandsstrombedingungen ermöglicht
- • Der potenzielle Energieverlust durch induktives Spiking im spannungslosen Zustand (Unclamped Inductive Spiking, UIS) ist 20 % geringer als bei vergleichbaren 60 V MOSFETs
- • Durch Nexperias niedrigen RDS(on) werden höhere Wirkungsgrade erzielt, wodurch eine lange Lebensdauer des Akkus gewährleistet wird.
- • Wie bei allen Motoranwendungen gibt es ein Systemvibrationsniveau, das nicht gedämpft werden kann. LFPAK bietet einzigartige Zuverlässigkeit und Robustheit auf Leiterplattenebene.
- • Viele Geräte werden auf Logikebene angeboten, wodurch sie direkt von einer Mikrosteuerungsvorrichtung umgeschaltet werden können.
Anwendungen
- • Bürstenlose Gleichstrommotorsteuerung
- • Synchrongleichrichter in AC-zu-DC-Hochleistungsanwendungen, wie z.B. Spannungsversorgungen für Server
- • Batterieschutz und Batteriemanagementsysteme (BMS)
- • Lastschalter
- • Zehnzellige Lithium-Ionen-Akkuanwendungen (36 V ‒ 42 V)
Anwendungshinweise
- • Konzeption von RC-Snubbergliedern
- • Thermische RC-Modelle
- • Datenblattparameter von Leistungs-MOSFETs verstehen
- • Thermischer Widerstand von LFPAK MOSFET
- • Robustheitsbewertung der Einzel- und wiederholten Stoßentladungen von Leistungs-MOSFETs
- • Ausfallsignatur bei Spannungsüberbeanspruchung (Electrical Overstress) bei Leistungs-MOSFETs
- • Die Konzeption für einen sicheren und zuverlässigen Gateansteuerungsbetrieb in MOSFETs
- • Die parallele Verwendung von Leistungs-MOSFETs
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Produkte/Datenblätter
ASFETs für Hotswap und Sanftanlauf (Softstart) mit erweitertem sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA)
Zuverlässiger Linearbetrieb, erweiterter sicherer Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) und niedriger RDS(on)
Ganz egal ob in der Cloud oder an der Edge, wir leben wirklich in einer Welt, die 24 Stunden am Tag verbunden ist. Ein großer Teil unseres täglichen Lebens ist von rackbasierten Computern, Kommunikationen und Speichersystemen abhängig, die immer laufen. Um sicherzustellen, dass es in diesen Systeme zu keinen Spannungsunterbrechungen kommt und die Komponenten auf Ersatzplatinen geschützt werden, wenn sie in ein Live-System eingefügt werden, ist es unerlässlich, dass der Anlauf- bzw. Einschaltstrom sorgfältig kontrolliert wird. In normalen MOSFETs schließen sich ein solider Betriebsbereich (Safe Operating Area) SOA und ein geringer RDS(on) gegenseitig aus. Nexperia bietet mit speziellen MOSFETs für Hotswap und Sanftanlauf (Softstart), die für eine nonstop verbundene Welt optimiert sind, beide Fähigkeiten in einem einzigen Gerät an.
Wichtige Merkmale
- • Bei MOSFETs mit einer starken Leistung im Linearbetrieb und einem erweiterten sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) muss der Anlauf- bzw. Einschaltstrom effizient und zuverlässig kontrolliert werden, wenn kapazitive Lasten zur Rückwandplatine hinzugefügt werden.
- • Sobald eine Ersatzplatine sicher hochgefahren ist, ist der MOSFET voll EINGESCHALTET. In diesem Betriebsmodus ist ein geringer RDS(on) -Wert von vorrangiger Bedeutung, um die Temperatur niedrig und die Systemeffizienz auf maximaler Höhe zu halten.
- • Im neuen Gerät ist der SOA um 166 % größer als im 50 V D2PAK-Paket.
Anwendungen
- • Hotswaps für die Kommunikationsinfrastruktur
- • Rack-/bladebasierte Hochleistungsserver
- • Hotswaps für Bladeserver
Anwendungshinweise
Videos
Produkte/Datenblätter