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Wolfspeed’s third-generation silicon carbide 650V MOSFET technology is optimized for high-performance power electronics applications.
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Erhalten Sie eine höhere Energieumwandlung, höhere Schaltgeschwindigkeiten und eine bessere thermische Leistung, was die Entwicklung kleinerer, effizienterer Schnelllade-Systeme möglich macht.
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EVs fahren weiter, laden schneller und leisten mehr mit integriertem Wolfspeed SiC.
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Verbessern Sie den Wirkungsgrad, reduzieren Sie die Systemgröße und senken Sie die Gesamtsystemkosten mit Siliziumkarbid-MOSFETs und Schottky-Dioden.
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Siliziumkarbid-Lösungen von Wolfspeed sind die Zukunft der Leistungselektronik.
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Entdecken Sie, wie SiC Anwendungen für erneuerbare Energien, Solarenergie, Energieumwandlung und mehr verbessert.
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SiC-Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsumwandlungseffizienz, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und niedrigere Systemkosten.
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