Breitbandlösungen
Die neue Silizium-Karbid (SiC)-Technologie bietet hochwertige Schalter und höhere Zuverlässigkeit
Die Silizium-Karbid-Vorteile umfassen höhere Effizienz, eine höhere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, weniger EMI und verringerte Systemgrößen und ‑kosten. Das Silizium-Karbid (SiC)-Portfolio von onsemi umfasst 650 V und 1200 V Dioden, 1200 V MOSFET‑ und SiC MOSFET-Treiber.
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1700V SiC Diodes
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GaN Drivers
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Integrated Modules
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