Samsung Electronics Datenspeicher
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Main Category | Density - (bit) | Cell Type | Subcategory | Density in Bits - (bit) | Total Density | Organization | Architecture | Programmability | Number of Bits per Word - (bit) | Boot Block | Number of Internal Banks | Module Type | Block Organization | Number of Words per Bank | Number of Chip per Module | Data Rate Architecture | Timing Type | Minimum Operating Supply Voltage - (V) | Data Bus Width - (bit) | Chip Density - (bit) | Address Width - (bit) | Number of Ports | Maximum Clock Rate - (MHz) | Number of Words | Maximum Access Time - (ns) | Interface Type | Process Technology | Address Bus Width - (bit) | Chip Configuration | Chip Package Type | Maximum Operating Current - (mA) | Maximum Operating Supply Voltage - (V) | Supplier Temperature Grade | ECC Support | Number of Ranks | CAS Latency | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KLMDGAWEBD-B031 Flash Serial e-MMC 1.8V/3.3V 1T-bit 153-Pin BGA |
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Samsung Electronics | Flash | 153 | BGA | BGA | No | No | No | No | 3A991.b.1.a | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4X51163PK-FGD8000 Mobile-DDR SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4M56323PI-HG75000 MOBILE DRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | Unknown | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S641632N-LC75000 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G164QQ-HLF7 DDR2 SDRAM 1G bit Q-DIE |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 60 | FBGA | BGA | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T51083QQ-BCE7000 512MB Q-DIE DDR2 SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T51163QQ-BCE7000 512MB Q-DIE DDR2 SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4B4G0846D-BCH90CV
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.5V 78-Pin FBGA
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | DDR3 SDRAM | 4G | 4294967296 | 512Mx8 | 8 | 8 | 64M | 8 | 1333 | 0.255 | SSTL_1.5 | 19 | 78 | FBGA | BGA | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G084QF-BCE6T00 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | DDR2 SDRAM | 1G | 1073741824 | 128Mx8 | 8 | 8 | 16M | 8 | 667 | 0.45 | SSTL_1.8 | 17 | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K7N803601B-PC16000 256KX36 AND 512KX18 FLOW-THROUGH NTRAM |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 3A991b.2.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6T4008C1C-GB55T00 SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP T/R |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 32 | SOP | SO | No | No | No | No | No | 3A991.b.2.a | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G164QG-BCE6T00 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9KAG08U0M-PIB0000 SLC NAND FLASH |
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Samsung Electronics | Flash | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K9K8G08U0D-SCB0000
SLC NAND Flash Serial 3.3V 8G-bit 1G x 8 25ns 48-Pin TSOP-I
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Samsung Electronics | Flash | 8G | SLC NAND | 8589934592 | Sectored | Yes | 8 | No | Symmetrical | Synchronous | 1G | 25 | Serial | CMOS | Yes | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F1G08U0E-SCB0000 FLASH MEMORY IC |
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Samsung Electronics | Flash | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S281632D-TC60000 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 54 | TSOP-II | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F2G08U0A-PCB0000 256M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
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Samsung Electronics | Flash | 3A991b.1.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4A4G165WD-BCRC 4Gb D-die DDR4 SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T51163QN-BCF8000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4H511638D-ZCCC000 DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 60-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 60 | FBGA | BGA | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6R4016V1D-KI10000 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tray |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 3A991b.2.a. | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6X4016C3F-TF55 SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 44 | TSOP-II | SO | No | No | No | No | No | 3A991.b.2.a | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4B1G1646I-BFMA
1 Gb 64M x 16 DDR3
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Samsung Electronics | DRAM-Chip | 96 | FBGA | BGA | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6T4008C1C-VB70T00 512KX8 BIT LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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Samsung Electronics | SRAM-Chip | 32 | TSOP-II | SO | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9K8G08U0B-PIB0000 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8G-bit 1G x 8 48-Pin TSOP-I Tray |
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Samsung Electronics | Flash | EAR99 | No |