BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor In 2.4 - 2.5GHz LNA Application

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP740F von Infineon Technologies AG

Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • PoE Wireless Access Point
  • Wireless LAN

Beschreibung

  • BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor In 2.4 - 2.5GHz LNA Application. The BFP740F is a high gain, ultra low noise Silicon-Germanium-Carbon (SiGe:C) HBT device suitable for a wide range of Low Noise Amplifier (LNA) applications

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    2400 to 2500 MHz
  • Output Power
    14.2 dBm
  • Gain
    17.5 dB

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