BFP740F Ultra-Low Noise Silicon-Germanium Transistor as 5 - 6GHz Low Noise Amplifier

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP740F von Infineon Technologies AG

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Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • Cordless Phone
  • Wireless LAN

Beschreibung

  • BFP740F Ultra-Low Noise Silicon-Germanium Transistor as 5 - 6GHz Low Noise Amplifier. The new Silicon-Germanium BFP740F in TSFP-4 package is demonstrated as a 5 - 6 GHz Low Noise Amplifier. A 3-layer PCB was employed, the PCB material being low-cost, high-loss industry standard FR4 epoxy material. Standard low-cost 0402 case size chip components were used throughout

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    5000 to 6000 MHz
  • Output Power
    26.2 dBm
  • Gain
    15.7 dB

Empfohlene Bauteile (1)

Empfohlene Bauteile
Teilenummer Hersteller Typ Beschreibung
BFP 740F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 In den Warenkorb

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