Erfahren Sie mehr über effiziente Infineon-Lösungen für kabelloses Laden und finden Sie heraus, wie sie für die Bedürfnisse der Verbraucher von heute optimiert sind.
Kabelloses Aufladen bei Endverbraucheranwendungen. Hocheffiziente und kostengünstige Lösungen von Infineon.
Verbessern Sie jedes Design für das kabellose Laden mit den richtigen Halbleiterlösungen von Infineon – Ihr Partner für Anwendungen für das kabellose Laden. Als Mitglied des Wireless Power Consortium und der AirFuel Alliance arbeitet Infineon daran, die Trends von morgen aktiv mitzugestalten.
Fortgeschrittene Technologie bietet Verbraucherfreundlichkeit
Trotz all der Mobilität, die wir zur Verfügung haben, müssen wir noch stets unsere Mobilgeräte an die Wand anbringen. Endverbraucher verlangen bequemere Methoden für das Laden ihrer Geräte. Die Standardisierung der Ladekabel war ein Schritt in die richtige Richtung. Dadurch wurde jedoch nicht der mit dem physischen Verbinden der Geräte an Ladestationen verbundene Zeitaufwand reduziert.
Kabelloses Laden schont die Nerven und macht das Aufladen Ihres Geräts so unkompliziert wie möglich. Ihr Akku wird durch elektromagnetische Felder, die den Strom von einer Sender- zu einer Empfängeranwendung übertragen, ohne eine physische Verbindung geladen. Die Standardisierung im Bereich des kabellosen Ladens ermöglicht Plug-and-Play-Kompatibilität der auf dem Markt befindlichen Sender- und Empfängerlösungen.
Anwendungsbereiche
– Kompatible Geräte aus unterschiedlichen Empfängeranwendungen können kabellos geladen werden.
– Für weitere Informationen, klicken Sie hier.
Warum Infineon die richtigen Lösungen hat
Mit einem zuverlässigen Partner können Sie Ihre Designs für kabelloses Laden optimieren. Infineons große Auswahl an Komponenten, Lösungen und Referenzdesigns hilft Ihnen bei der Bewältigung von Designherausforderungen von Designs für das kabellose Laden. Wählen Sie Infineon und profitieren Sie von:
• Hocheffiziente Lösungen bei dem besten Preis-Leistungs-Verhältnis in der Branche dank der kostengünstigen Einheiten und der branchenführenden, zuverlässigen und ausgereiften Silizium-Technologie.
• Hochleistungsdichte für kleine Designs: die niedrigsten Schalt- und Leitungsverluste in kleinen Einheiten für MOSFETS.
• Gehäuse mit minimalen Störeinflüssen bei MOSFETs (2x2,3x3 HB).
• Höchste Effizienz bei hart schaltenden Topologien; niedrige Schaltverluste (~20 %) aufgrund niedriger Ein- und Ausgangskapazitäten; Benchmark für niedrigste Schalt- und Leitungsverluste.
• Breites Angebot an einsatzbereiten Referenzdesigns, um Ihre Wechselrichter, Adapter oder Ladelösungen zu entwickeln.
Standardisierung des kabellosen Ladens
Derzeit existieren auf dem Markt zwei Standards für das kabellose Laden: induktiv und resonant. Nachfolgend finden Sie eine Erläuterung zu beiden Standards und einen Überblick der hochmodernen Lösungen aus dem umfassenden Portfolio aus hochqualitativen Halbleitern von Infineon.
1. Induktives kabelloses Laden
Qi vom Wireless Power Consortium und das induktive AirFuel von der AirFuel Alliance unterstützen beide induktive Topologien mit Einzel- und Mehrfachspulen, verwenden Frequenzen im Bereich von 100-300 kHz und dominieren gemessen am Volumen den heutigen Markt. Ihre breite Nutzung ist auf deren Kosteneffizienz zurückzuführen. Während induktive Mehrfachspulenlösungen eine flexiblere Positionierung von mehreren zu ladenden Geräten ermöglichen (üblicherweise mit zusätzlichen Freiraum von < 10 mm) erfordern Einzelspulenlösungen eine fast exakte Position eines einzelnen Geräts. Induktive Topologien sind immer von In-Band-Kommunikation abhängig.
Produktangebote von Infineon für die Sendereinheit:
Wechselrichter-MOSFETs – OptiMOS™ PQFN 3.3x3.3
Optimierte Wechselrichter-MOSFETs für Lösungen für das kabellose Laden. Entspricht den Standards für induktive Qi und induktives AirFuel. Die zuverlässige und ausgereifte Silizium-Technologie OptiMOS™ von Infineon in winzigen PQFN-Gehäuse ermöglichen bei Ihrer Senderlösung die höchste Effizienz. BSZ0994NSATMA1 mit einem niedrigen RDS(on) von 8,6 mΩ und BSZ0589NSATMA1 mit einem noch niedrigerem Widerstand von nur 4,4 mΩ sind die richtigen Teile für Ihre Wechselrichter-MOSFETs.
Mit dem 30 V Niederspannungs-MOSFET BSC0993NDATMA1 wird die OptiMOS™-Technologie in einer kleinen 5x6 PowerStage-Gehäuse mit niedrigem RDS(on) von 7mΩ geliefert. Durch das optimierte EMS-Verhalten und die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby-Modus als auch im vollen Betrieb, ist das BSC0993NDATMA1 perfekt für Ihre Lösung für das kabellose Laden geeignet.
Spulenauswahlschalter – IR MOSFET™ in PQFN 2x2
Für Mehrspulenlösungen sind Spulenauswahlschalter erforderlich, um den Strom dort hin zu liefern, wo er benötigt wird. Infineon empfiehlt das IR-MOSFET™ IRLHS6342TRPbF. Mit dem niedrigen RDS(on) und der flachen Bauweise von unter 1,0 mm eignet sich das IRLHS6342TRPbF als perfekter Schalter für Ihr Design.
2. Resonantes kabellosen Laden
AirFuel bietet auch induktive Resonanztopologie, die die Frequenz 6,78 MHz verwendet. Vorteile umfassen verbesserte Benutzerfreundlichkeit, da Sie das zu ladende Gerät frei in der Nähe des Senders (üblicherweise bis zu 30 mm vertikaler Freiraum) positionieren können und mehrere Geräte unterschiedlicher Größe und Stromstärke geladen werden können. Die Kommunikation erfolgt über Bluetooth® Low Energy.
Produktangebote von Infineon für die Sendereinheit:
Infineon bietet erstklassige Leistungs-MOSFET-Technologie, besonders in den Bereichen 30 V-100 V für Wechselrichterdesigns der Klasse D und in der Spannungsklasse 150 V-250 V für Wechselrichter der Klasse E, um MHz-Schaltimplementierungen zu ermöglichen. Die robuste Silizium-MOSFET-Technologie ist für schnelle Schaltfrequenzen optimiert und die besten Leistungszahlen für die Gate-Ladezeiten RDS(on) und Coss ermöglichen es, Wechselrichterdesigns mit 6,78 MHz zu erreichen.
BSZ0909ND OptiMOS™-Halbbrücke
Das BSZ0909ND passt optimal in kabellose Lade- oder Antriebsarchitekturen (bspw. Drohnen oder Multicopter), bei denen die Designer auf ein einfaches Layout und Platzersparnis abzielen, ohne die Effizienz zu verringern.
Die eingesetzte OptiMOS™-Technologie in Zusammenarbeit mit der PQFN 3x3-Einheit bietet eine optimale Lösung für DC/DC-Anwendungen mit hohen Raumanforderungen.
Außerdem ist das BSZ0909ND ein branchenführendes Produkt im Bereich der schnellen Schaltfrequenzen. Es verfügt über die besten Leistungszahlen für die Gate-Ladezeiten RDS(on) (Qg*RDS(on)), um niedrige Schalt- und Leitungsverluste bei 6,78 MHz zu erreichen.
IR-MOSFET™
Für Mehrspulendesigns empfiehlt Infineon die benutzerfreundlichen IR-MOSFET™-Geräte wie die logischen Leistungs-MOSFETs IRL60HS118 und IRL80HS120, die sich optimal für Anwendungen für das kabellose Laden eignen. Die PQFN 2x2-Einheit eignet sich besonders gut für Hochgeschwindigkeits-Switching-Anwendungen, bei denen auch auf den Formfaktor geachtet werden muss. Die Einheit bietet Hochleistungsdichte und verbesserte Effizienz sowie eine bedeutende Platzersparnis.
Die niedrige Gate-Ladung Qg verringert Schaltverluste ohne Leitungsverluste zu erhöhen. Trotz der niedrigen Gate-Ladung erreichen die logischen Produkte eine niedrigere RDS(on) im Vergleich zu den nächstbesten Alternativen. Die verbesserten Leistungszahlen ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Außerdem bietet der logische Antrieb eine niedrige Gate-Schwellenspannung VGS(th) , wodurch die MOSFET bei 5 V und direkt von Mikrocontrollern angetrieben werden kann.
OptiMOS™ Leistungs-MOSFET
Die OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten hervorragende RDS(on) und Ladeeigenschaften in einer kleinen PQFN 3.3x3.3-Einheit für Ihr kabelloses Energiesenderdesign. Für die Verwendung in Topologien der Klasse E empfiehlt Infineon entweder die 200V OptiMOS™-Leistungs-MOSFET BSZ900N20NS3 mit einem Widerstand von 28 mΩ oder die 200V OptiMOS™-Leistungs-MOSFET BSZ22DN20NS3 mit einer RDS(on) von 200 mΩ.
Für Topologien der Klasse D ist die 30V OptiMOS™ BSZ065N03LS in der PQFN 3.3x3.3 perfekt geeignet und bietet eine niedrige RDS(on) von nur 6,9 mΩ.
