Micron gewinnt das Rennen um das IoT Edge

Das IoT Edge – der Weg zum vernetzten Unternehmen

Bei Milliarden von industriellen IoT-Geräten, die mit der Cloud verbunden sind, bildet das IoT Edge die Nahtstelle zwischen Unternehmens- und Industriesystemen – insbesondere in Märkten wie Fabrikautomation, Öl und Gas, Smart Cities, Überwachung, Gesundheitswesen und mehr*.

IoT-Edge-Lösungen führen Computing und KI näher an die Datenquellen heran. Sie beinhalten neue Softwareparadigmen und unterstützen neue Geschäftsmodelle, die herkömmliche OEMs und IoT-Plattformanbieter zur Entwicklung neuer Strategien anregen, wenn sie danach streben, das Rennen um das IoT Edge zu gewinnen.

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Neue Architekturen

Da die Computing- und Speicheranforderungen sicher noch zunehmen, werden sich auch IoT-Edge-Lösungen weiterentwickeln. Dadurch steigt der Bedarf an:

• Datenverdichtung und Konnektivität in Echtzeit
• Multicore-Prozessorsystemen, die Deep-Learning-Inferenzen und höhere Computing-Anforderungen unterstützen
• eingebettetem lokalem Speicher für Datenmanagement vor Ort
• neuer Middleware und APIs zur Unterstützung von Containern für Microservices

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Micron Intelligence Accelerated – mit Intelligenz auf der Überholspur zum IoT Edge

Als ein führendes Unternehmen für Anwendungen der Industrie und der Automobilbranche bietet Micron eine umfassende Palette an Speicher- und Datenträgerlösungen für die wichtigsten Anforderungen des IoT Edge. 

• High-Performance-DRAM/LPDRAM und Module für Computing und Deep-Learning am Edge
• Umfassendes NOR/NAND-Portfolio für vielseitige Programmierung und flexiblen Datenspeicher
• Multi-Chip-Package-Lösungen (MCP) für Anwendungen mit eingeschränkten Platzverhältnissen und IoT-Mobilfunkmodulen
• e.MMC, PCIe NVMe-Flashspeicher-SSD- und SD/microSD-Lösungen in Industriequalität für lokalen Speicher  

Speicher- und Datenträgeranforderungen für das IoT Edge

Die neue Generation an Edge-Geräten verlangt nach High-Performance-DRAM zur Beschleunigung der Deep-Learning-Inferenz. Für seine Verwaltung werden NAND-Lösungen mit Funktionen und Dichten benötigt, die sich für den Codeumfang und komplexe BS-Funktionen eignen, sowie High-Endurance-Speicher für lokale Datenprotokoll- und Historian-Systeme.

Klicken Sie auf den jeweiligen Kreis, um weitere Informationen über die Produktfamilie zu erhalten.

        

Alles Wesentliche für das Edge 

DRAM-Lösungen

• DDR3/DDR4 und LPDDR4: markterprobt, optimales Preis-Leistungs-Verhältnis und langfristiger Support

• LPDDR5x: Datenraten bis zu 8,5 Gbit/s; verbesserte Leistungseffizienz; Paketlösungen für bis zu 64-Bit-Busbreite ermöglichen Schnittstellen mit hoher Bandbreite für KI/ML-Workloads

• Eine Vielzahl von DRAM-Modulen von High-Performance-SODIMMs bis High-Density-LRDIMMs

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Speicher für Industrie und Automobilbranche

• Micron 2100AI, 2100AT 3D TLC SSDs

• SLC-Partitionierung; geeignet für Trusted Computing Group (TCG) Opal Selfencrypting Drives (SED)

• Dichten von 64 GB bis 1 TB, BGA- und M.2-Formfaktoren:
    2100AI: Tcase, Betriebstemperatur von -40 °C bis +95 °C
    2100AT: Tcase, Betriebstemperatur von -40 °C bis +105 °C

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NAND/NOR-Portfolio

• SLC NAND mit adaptiver FTL: On-die-ECC, Industrietemperaturbereich, OTP-Datenschutz

• Xccela© Flash: x8 (Octal SPI) SDR/DDR JEDEC xSPI-Standard-konform; bis zu 2 Gbit Flash mit allen Funktionen, unterstützt die direkte Codeausführung und parametrischen Datenspeicher mit Lesevorgängen von bis zu 400 MB/s, um das 5-Fache weniger Pins als bei parallelen NOR-Geräten

• e.MMC mit internem NAND-Management zur einfacheren Bereitstellung

1 TB High-Retention-microSD

NAND- und NOR-Produkte anzeigen         MICRO-SDCARD-PRODUKTE ANZEIGEN

Sicherheit und Vertrauen

• Die Authenta™-Technologie ermöglicht mit Secure-Element-Funktionen die Integritätsprüfung und den Speicherschutz

• Authenta Key Management Services (KMS) vereinfachen die Aktivierung und das Management von DICE-basierten Identitäten zur Unterstützung von OTA-Updates sowie das Gerätemanagement

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Multichip-Packages (MCPs)

• Breites Spektrum an NAND MCP- und e.MCP-Dichtekombinationen

• Niedrige 1,8-V-Spannung; Lösungen mit geringer Paketgröße/Ball-Anzahl

• Senkrechte Stapelung auf Die-Ebene; minimierte Stückliste zur einfacheren Fertigung und Kostenersparnis

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Schnellere Markteinführung mit geprüften Speicherlösungen

Micron möchte, dass Sie schnell mit Ihrem Design beginnen können. Deshalb werden Ihre NOR-, NAND- und DRAM-Speichergeräte auf ihre Eignung für die wichtigsten Plattformen in Zusammenarbeit mit mehr als 70 Halbleiter-Designteams und Lösungsanbietern geprüft.

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