BFP740 SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP740 von Infineon Technologies AG

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Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • PoE Wireless Access Point
  • Wireless LAN

Beschreibung

  • BFP740 SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application with 15 dB Gain, 1.3 dB Noise Figure and 100 nanosecond Turn-On/Turn-Off Time

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    5000 to 6000 MHz
  • Output Power
    24.4 dBm
  • Gain
    15.2 dB

Empfohlene Bauteile (2)

Empfohlene Bauteile
Teilenummer Hersteller Typ Beschreibung
BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R In den Warenkorb
BFP740H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 In den Warenkorb

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